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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NTJD4152PT2G

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Imagem NTJD4152PT2G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD4152PT2G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTJD4152PT2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTJD4152PT2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Power - Max

272mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

NTJD4152PT2GOSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

45 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 880mA 272mW SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

880mA

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