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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTJS4151PT1

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NTJS4151PT1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTJS4151PT1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

NTJS4151PT1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

NTJS4151PT1OSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta)

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