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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTLJF4156NT1G

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Imagem NTLJF4156NT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJF4156NT1G

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTLJF4156NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTLJF4156NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-WDFN (2x2)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

70 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

710mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes

NTLJF4156NT1G-ND
NTLJF4156NT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tj)

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