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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTLJS2103PTAG

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2091001

Imagem NTLJS2103PTAG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJS2103PTAG

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTLJS2103PTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTLJS2103PTAG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-WDFN (2x2)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

40 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

700mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1157pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

P-Channel 12V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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