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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTMFS4854NST1G

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NTMFS4854NST1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTMFS4854NST1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTMFS4854NST1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SO-8FL
Série

SENSEFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4830pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 11.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

3.2V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 15.2A (Ta), 149A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount SO-8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

15.2A (Ta), 149A (Tc)

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