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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTR3A30PZT1G

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Imagem NTR3A30PZT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR3A30PZT1G

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTR3A30PZT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTR3A30PZT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

38 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

480mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

NTR3A30PZT1G-ND
NTR3A30PZT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1651pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

17.6nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 3A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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