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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTTFS4C10NTAG

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Imagem NTTFS4C10NTAG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS4C10NTAG

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500+

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Especificações

Modelo do Produto

NTTFS4C10NTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 44A U8FL
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTTFS4C10NTAG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-WDFN (3.3x3.3)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

NTTFS4C10NTAGOSDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

993pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 8.2A (Ta), 44A (Tc) 790mW (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.2A (Ta), 44A (Tc)

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