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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NVD3055-150T4G-VF01

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Imagem NVD3055-150T4G-VF01.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVD3055-150T4G-VF01

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NVD3055-150T4G-VF01
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NVD3055-150T4G-VF01.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

150 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

NVD3055-150T4G
NVD3055-150T4G-ND
NVD3055-150T4G-VF01-ND
NVD3055-150T4G-VF01OSTR
NVD3055-150T4GOSTR-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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