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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > P2N2907ARL1G

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P2N2907ARL1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

P2N2907ARL1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

P2N2907ARL1G.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92-3
Série

-
Power - Max

625mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

600mA
Número da peça base

P2N2907

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Forma de pagamento

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Pagamento

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