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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > SBC856BDW1T1G

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3585241

Imagem SBC856BDW1T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SBC856BDW1T1G

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30000+

$0.061

75000+

$0.054

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SBC856BDW1T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SBC856BDW1T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

65V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

Automotive, AEC-Q101
Power - Max

380mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

SBC856BDW1T1G-ND
SBC856BDW1T1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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