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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > SMMBT6427LT1G

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Imagem SMMBT6427LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMBT6427LT1G

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Disponível

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15000+

$0.075

30000+

$0.071

75000+

$0.063

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SMMBT6427LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SMMBT6427LT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500µA, 500mA
Tipo transistor

NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
Power - Max

225mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

SMMBT6427LT1G-ND
SMMBT6427LT1GOSTR
Temperatura de operação

-
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA
Número da peça base

MMBT6427

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