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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > SPZT651T1G

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3140977

Imagem SPZT651T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SPZT651T1G

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2000+

$0.369

5000+

$0.351

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SPZT651T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 60V 2A SOT223-4
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SPZT651T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-223 (TO-261)
Série

-
Power - Max

800mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes

SPZT651T1G-ND
SPZT651T1GOSTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

75MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A

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