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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > TN3019A_J05Z

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TN3019A_J05Z

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TN3019A_J05Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 80V 1A TO-226
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TN3019A_J05Z.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-226
Série

-
Power - Max

1W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-226
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

1A

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