Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICS) > Memória > AS4C16M16D1A-5TIN

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

5560449

Imagem AS4C16M16D1A-5TIN.

Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16D1A-5TIN

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

1+

$3.73

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AS4C16M16D1A-5TIN
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

AS4C16M16D1A-5TIN.pdf
Modelo ECAD
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

15ns
Tensão - Fornecimento

2.3 V ~ 2.7 V
Tecnologia

SDRAM - DDR
Embalagem do dispositivo fornecedor

66-TSOP II
Série

-
Embalagem

Tray
Caixa / Gabinete

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Outros nomes

1450-1282
Temperatura de operação

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

256Mb (16M x 16)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

DRAM
Tempo de entrega padrão do fabricante

8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
Freqüência de relógio

200MHz
Tempo de acesso

700ps

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

Envio

Pagamento

O seguinte é "AS4C16M16D1A-5TIN" produtos relacionados.

AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5BINTR

AS4C16M16D1-5BINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D2-25BINTR

AS4C16M16D2-25BINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5TINTR

AS4C16M16D1-5TINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5TIN

AS4C16M16D1-5TIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5BCNTR

AS4C16M16D1-5BCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5TCNTR

AS4C16M16D1-5TCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1A-5TINTR

AS4C16M16D1A-5TINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D1-5TCN

AS4C16M16D1-5TCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

AS4C16M16D2-25BCNTR

AS4C16M16D2-25BCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Notícias Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.