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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICS) > Memória > AS4C16M16SA-7TCN
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5914802Imagem AS4C16M16SA-7TCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16SA-7TCN

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
108+
$2.53
324+
$2.448
540+
$2.439
1080+
$2.272
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    AS4C16M16SA-7TCN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    AS4C16M16SA-7TCN.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    14ns
  • Tensão - Fornecimento
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    54-TSOP II
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tray
  • Caixa / Gabinete
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Outros nomes
    1450-1255
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    256Mb (16M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    8 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Freqüência de relógio
    143MHz
  • Tempo de acesso
    5.4ns

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Envio
Pagamento
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AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-6TANTR

AS4C16M16SA-6TANTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
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