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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICS) > Memória > AS4C1M16S-6TIN
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4176076Imagem AS4C1M16S-6TIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-6TIN

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$2.13
10+
$1.942
25+
$1.89
50+
$1.88
117+
$1.681
351+
$1.676
585+
$1.651
1053+
$1.58
5031+
$1.471
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    AS4C1M16S-6TIN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    AS4C1M16S-6TIN.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    2ns
  • Tensão - Fornecimento
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    50-TSOP II
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tray
  • Caixa / Gabinete
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Outros nomes
    1450-1270
    AS4C1M16S-6TIN-ND
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    16Mb (1M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    8 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 50-TSOP II
  • Freqüência de relógio
    166MHz
  • Tempo de acesso
    5.4ns

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Envio
Pagamento
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AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Descrição: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Descrição: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Descrição: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

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Descrição: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Descrição: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Descrição: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C256M16D3-12BCNTR

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Descrição: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
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