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AS4C64M16MD1-5BINTR

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    AS4C64M16MD1-5BINTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    AS4C64M16MD1-5BINTR.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    60-FBGA (8x10)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    60-TFBGA
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    1Gb (64M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-FBGA (8x10)
  • Freqüência de relógio
    200MHz
  • Tempo de acesso
    5ns

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AS4C64M16MD1-6BIN

AS4C64M16MD1-6BIN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD2-25BCN

AS4C64M16MD2-25BCN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD1-5BCNTR

AS4C64M16MD1-5BCNTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD1-6BCNTR

AS4C64M16MD1-6BCNTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16D3LB-12BIN

AS4C64M16D3LB-12BIN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD1A-5BINTR

AS4C64M16MD1A-5BINTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16D3LB-12BAN

AS4C64M16D3LB-12BAN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16D3LB-12BCNTR

AS4C64M16D3LB-12BCNTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16D3LA-12BINTR

AS4C64M16D3LA-12BINTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16D3LB-12BCN

AS4C64M16D3LB-12BCN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
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AS4C64M16D3LB-12BANTR

AS4C64M16D3LB-12BANTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD1-6BINTR

AS4C64M16MD1-6BINTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
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AS4C64M16MD1-5BIN

AS4C64M16MD1-5BIN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD1A-5BIN

AS4C64M16MD1A-5BIN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD1-5BCN

AS4C64M16MD1-5BCN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16D3LB-12BINTR

AS4C64M16D3LB-12BINTR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCN

AS4C64M16MD2A-25BCN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M16MD1-6BCN

AS4C64M16MD1-6BCN

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
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