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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOI1N60L

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Imagem AOI1N60L.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOI1N60L

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOI1N60L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.AOI1N60L.pdf
2.AOI1N60L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-251A
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

9 Ohm @ 650mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

45W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Outros nomes

785-1536-5
AOI1N60L-ND
Temperatura de operação

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.3A (Tc)

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