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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOI2N60

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Imagem AOI2N60.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOI2N60

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOI2N60
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.AOI2N60.pdf
2.AOI2N60.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-251A
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

56.8W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de operação

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 2A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

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