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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOT2610L

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Imagem AOT2610L.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOT2610L

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOT2610L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 9A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.AOT2610L.pdf
2.AOT2610L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.1W (Ta), 75W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2007pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 9A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 55A (Tc)

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