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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOWF25S65

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Imagem AOWF25S65.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOWF25S65

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Disponível

1000+

$2.154

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOWF25S65
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.AOWF25S65.pdf
2.AOWF25S65.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Série

aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

190 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

28W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Outros nomes

785-1530-5
AOWF25S65-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1278pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 25A (Tc) 28W (Tc) Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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