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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BDV65B-S

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1820398

Imagem BDV65B-S.

Bourns, Inc.

BDV65B-S

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BDV65B-S
Fabricante / Marca

Bourns, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN DARL 100V 12A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BDV65B-S.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

2V @ 20mA, 5A
Tipo transistor

NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-93
Série

-
Power - Max

3.5W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-218-3
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 3.5W Through Hole SOT-93
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V
Atual - Collector Cutoff (Max)

2mA
Atual - Collector (Ic) (Max)

12A

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