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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BDV64B
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4637468Imagem BDV64B.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BDV64B

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    BDV64B
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    BDV64B.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    100V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    2V @ 20mA, 5A
  • Tipo transistor
    PNP - Darlington
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-93
  • Série
    -
  • Power - Max
    125W
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-218-3
  • Temperatura de operação
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequência - Transição
    -
  • Descrição detalhada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 4V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    10A

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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