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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > 2N2060M

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2N2060M

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N2060M
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N2060M.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

2 NPN (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-78-6
Série

-
Power - Max

3W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-78-6 Metal Can
Temperatura de operação

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

60MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 60MHz 3W Through Hole TO-78-6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

2nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA

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