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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2N2219AE4

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2N2219AE4

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Disponível

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$9.728

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N2219AE4
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

2N2219AE4.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-39 (TO-205AD)
Série

-
Power - Max

800mW
Caixa / Gabinete

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Temperatura de operação

-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante

8 Weeks
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

800mA

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