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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BU806

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BU806

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BU806
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BU806.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

400V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 5A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220-3
Série

-
Power - Max

60W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

BU806 PBFREE
BU806CS
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante

18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 60W Through Hole TO-220-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

-
Atual - Collector Cutoff (Max)

100µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

8A

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