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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CDM22010-650 SL

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Imagem CDM22010-650 SL.

Central Semiconductor

CDM22010-650 SL

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100+

$1.76

500+

$1.369

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

CDM22010-650 SL
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

CDM22010-650 SL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1 Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2W (Ta), 156W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

CDM22010-650 SL PBFREE
CDM22010-650 SL-ND
CDM22010-650SL
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1168pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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