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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTA114YUA-7
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347196Imagem DDTA114YUA-7.Diodes Incorporated

DDTA114YUA-7

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DDTA114YUA-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    DDTA114YUA-7.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-323
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    200mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SC-70, SOT-323
  • Outros nomes
    DDTA114YUADITR
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequência - Transição
    250MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 10mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número da peça base
    DDTA114

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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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RFQ
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