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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMG4406LSS-13

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Imagem DMG4406LSS-13.

Diodes Incorporated

DMG4406LSS-13

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMG4406LSS-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMG4406LSS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

11 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.5W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

DMG4406LSS-13DITR
DMG4406LSS13
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1281pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

26.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 10.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10.3A (Ta)

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