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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMG4800LSD-13
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6556414Imagem DMG4800LSD-13.Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

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Disponível
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$0.68
10+
$0.569
100+
$0.426
500+
$0.313
1000+
$0.242
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DMG4800LSD-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    DMG4800LSD-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SOP
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    16 mOhm @ 9A, 10V
  • Power - Max
    1.17W
  • Embalagem
    Original-Reel®
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    DMG4800LSD-13DIDKR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    32 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    8.56nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica FET
    Logic Level Gate
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    7.5A
  • Número da peça base
    DMG4800LSD

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Pagamento
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Descrição: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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