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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMG7702SFG-7

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2016718

Imagem DMG7702SFG-7.

Diodes Incorporated

DMG7702SFG-7

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500+

$0.326

1000+

$0.252

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMG7702SFG-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMG7702SFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerDI3333-8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

890mW (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

DMG7702SFG-7DIDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4310pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

31.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Schottky Diode (Body)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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