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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN10H170SFG-7

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3235008

Imagem DMN10H170SFG-7.

Diodes Incorporated

DMN10H170SFG-7

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Disponível

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10+

$0.483

100+

$0.361

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN10H170SFG-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN10H170SFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerDI3333-8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

122 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

940mW (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

DMN10H170SFG-7CT
DMN10H170SFG-7CT-ND
DMN10H170SFG-7DICT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870.7pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

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