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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN10H099SFG-13

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119837

Imagem DMN10H099SFG-13.

Diodes Incorporated

DMN10H099SFG-13

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Disponível

3000+

$0.303

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN10H099SFG-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 4.2A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN10H099SFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerDI3333-8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

80 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

980mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1172pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

25.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

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