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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN10H220LVT-7

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176805

Imagem DMN10H220LVT-7.

Diodes Incorporated

DMN10H220LVT-7

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500+

$0.313

1000+

$0.242

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN10H220LVT-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN10H220LVT-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TSOT-26
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

220 mOhm @ 1.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.67W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

DMN10H220LVT-7DICT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

401pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.87A (Ta)

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