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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN13H750S-7

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Imagem DMN13H750S-7.

Diodes Incorporated

DMN13H750S-7

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN13H750S-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN13H750S-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

750 mOhm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

770mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DMN13H750S-7DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

231pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

130V
Descrição detalhada

N-Channel 130V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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