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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > ZXMN10A08E6TA

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Imagem ZXMN10A08E6TA.

Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TA

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500+

$0.328

1000+

$0.254

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ZXMN10A08E6TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ZXMN10A08E6TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-26
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

250 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.1W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6
Outros nomes

ZXMN10A08E6CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

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