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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > ZXMHC6A07N8TC

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Imagem ZXMHC6A07N8TC.

Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8TC

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Disponível

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100+

$0.871

500+

$0.675

1000+

$0.533

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ZXMHC6A07N8TC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ZXMHC6A07N8TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

250 mOhm @ 1.8A, 10V
Power - Max

870mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

ZXMHC6A07N8DIDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

166pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V
Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.39A, 1.28A
Número da peça base

ZXMHC6A07

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