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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > ZXMN10B08E6TC

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Imagem ZXMN10B08E6TC.

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ZXMN10B08E6TC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ZXMN10B08E6TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-26
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

230 mOhm @ 1.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.1W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

497pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.3V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

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