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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > ZXMN2F34FHTA

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4875342

Imagem ZXMN2F34FHTA.

Diodes Incorporated

ZXMN2F34FHTA

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ZXMN2F34FHTA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ZXMN2F34FHTA.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

950mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

ZXMN2F34FHTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

27 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

277pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 3.4A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

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