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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > ZXMN6A09DN8TC
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6073530Imagem ZXMN6A09DN8TC.Diodes Incorporated

ZXMN6A09DN8TC

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    ZXMN6A09DN8TC
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    ZXMN6A09DN8TC.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SOP
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    40 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Power - Max
    1.25W
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1407pF @ 40V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    24.2nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica FET
    Logic Level Gate
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    60V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    4.3A

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