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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > ZXMN6A11DN8TC

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Imagem ZXMN6A11DN8TC.

Diodes Incorporated

ZXMN6A11DN8TC

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ZXMN6A11DN8TC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ZXMN6A11DN8TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

120 mOhm @ 2.5A, 10V
Power - Max

1.8W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.5A

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