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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2001C

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Imagem EPC2001C.

EPC

EPC2001C

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Disponível

2500+

$2.463

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Especificações

Modelo do Produto

EPC2001C
Fabricante / Marca

EPC
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

EPC2001C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5mA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor

Die Outline (11-Solder Bar)
Série

eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7 mOhm @ 25A, 5V
Dissipação de energia (Max)

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

Die
Outros nomes

917-1079-2
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 36A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

36A (Ta)

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Pagamento

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Descrição: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC

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