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EPC2012

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Especificações
  • Modelo do Produto
    EPC2012
  • Fabricante / Marca
    EPC
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    EPC2012.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -5V
  • Tecnologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Die
  • Série
    eGaN®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    100 mOhm @ 3A, 5V
  • Dissipação de energia (Max)
    -
  • Embalagem
    Original-Reel®
  • Caixa / Gabinete
    Die
  • Outros nomes
    917-1017-6
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    145pF @ 100V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    1.8nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    5V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    200V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

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