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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2N6661JTXV02

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Imagem 2N6661JTXV02.

Electro-Films (EFI) / Vishay

2N6661JTXV02

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N6661JTXV02
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N6661JTXV02.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-39
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

90V
Descrição detalhada

N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

860mA (Tc)

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Fabricantes: Microsemi

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