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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2N6667G

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6018009

Imagem 2N6667G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N6667G

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Disponível

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100+

$0.622

500+

$0.514

1000+

$0.406

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N6667G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2N6667G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A
Tipo transistor

PNP - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

-
Power - Max

2W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

2N6667GOS
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1mA
Atual - Collector (Ic) (Max)

10A
Número da peça base

2N6667

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