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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFD113

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IRFD113

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFD113
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRFD113.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

4-HVMDIP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

800 mOhm @ 800mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

1W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

800mA (Tc)

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