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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFD214

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Imagem IRFD214.

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFD214

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$1.475

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFD214
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRFD214.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2 Ohm @ 270mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

1W (Ta)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes

*IRFD214
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

250V
Descrição detalhada

N-Channel 250V 450mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

450mA (Ta)

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