SI1029X-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI1029X-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI1029X-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-89-6
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Power - Max

250mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

SI1029X-T1-GE3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

305mA, 190mA
Número da peça base

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