SI1031R-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI1031R-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI1031R-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-75A
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

250mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-75A
Outros nomes

SI1031R-T1-GE3TR
SI1031RT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

140mA (Ta)

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