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SI1036X-T1-GE3

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI1036X-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
  • Status sem chumbo / Status RoHS
  • Fichas de dados
    SI1036X-T1-GE3.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SC-89-6
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    540 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Power - Max
    220mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SOT-563, SOT-666
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    36pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica FET
    Standard
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    610mA (Ta)

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